1. 這顆芯片到底解決了什么問題第一次拿到 BC911-ESOP8 / DFN10 這顆料的時(shí)候我正被一個(gè)便攜設(shè)備的充電方案折騰得夠嗆。項(xiàng)目需求很明確單節(jié)鋰電池充電輸入來源不固定有時(shí)候是車載點(diǎn)煙器出來的 12V有時(shí)候是 USB PD 協(xié)商出來的 9V 或 15V偶爾還要兼容一個(gè)老舊的 5V 適配器。之前的方案用的是線性充電 IC輸入電壓一高芯片表面溫度直接飆到燙手效率低得可憐充電電流還上不去。換過分立方案搭同步降壓光是外置 MOS 的選型和驅(qū)動(dòng)電阻調(diào)試就耗掉了一周板子面積也壓不下來。BC911 這顆芯片進(jìn)入視野之后情況就變了。它把同步降壓的上下管全部集成在封裝內(nèi)部輸入電壓范圍覆蓋 4V 到 22V最大充電電流做到 3.5A峰值效率標(biāo)稱 93%。封裝只有 ESOP8 和 DFN10 兩種選擇外圍器件數(shù)量大幅縮減。說白了這就是一顆給寬壓輸入、大電流充電、小體積這三個(gè)需求同時(shí)開藥方的芯片。它適合誰呢如果你在做便攜音箱、電動(dòng)工具、掃地機(jī)器人、車載電子、移動(dòng)電源這類產(chǎn)品輸入電壓來源雜、充電電流要求大、PCB 空間又緊張那這顆芯片值得認(rèn)真看一看。如果你只是給一個(gè)小容量電池做 0.5A 的慢充那用線性方案更省事沒必要上這顆。選型這件事永遠(yuǎn)是對(duì)號(hào)入座不是越強(qiáng)越好。我寫這篇東西不是要復(fù)述規(guī)格書而是把這顆芯片從選型、原理拆解、外圍計(jì)算、PCB 布局到調(diào)試踩坑的完整過程梳理一遍。規(guī)格書上的參數(shù)是理想條件下的實(shí)際能不能跑出 93% 的效率、3.5A 會(huì)不會(huì)觸發(fā)溫控降流、22V 輸入時(shí)會(huì)不會(huì)炸機(jī)這些才是工程師真正關(guān)心的問題。2. 寬壓輸入與同步降壓的架構(gòu)邏輯2.1 為什么是同步降壓而不是線性線性充電方案的本質(zhì)是把多余的電壓以熱量的形式消耗掉。輸入 12V、電池 3.7V、充電電流 2A 的時(shí)候芯片上耗散的功率是 (12 - 3.7) × 2 16.6W。這個(gè)數(shù)字意味著什么一顆 ESOP8 封裝的熱阻大概在 50°C/W 左右16.6W 的耗散會(huì)讓結(jié)溫升到 800°C 以上現(xiàn)實(shí)中芯片早就進(jìn)入熱保護(hù)甚至燒毀了。所以線性方案在高壓差、大電流場(chǎng)景下根本走不通。同步降壓的思路完全不同。它通過電感儲(chǔ)能和兩個(gè) MOS 管的交替開關(guān)把輸入電壓斬波后再通過電感平滑成需要的充電電壓。能量大部分傳遞給了電池只有一小部分在開關(guān)和導(dǎo)通過程中損耗掉。同樣是 12V 輸入、3.7V/2A 充電假設(shè)效率 90%那么損耗只有 (3.7 × 2 / 0.9) - 3.7 × 2 ≈ 0.82W。這個(gè)熱量水平ESOP8 封裝配合適當(dāng)?shù)你~箔散熱完全扛得住。BC911 把上下兩個(gè) MOS 管都集成進(jìn)去了這叫同步整流。傳統(tǒng)的異步降壓方案用肖特基二極管做續(xù)流二極管的正向壓降會(huì)帶來額外損耗尤其在低壓差、大電流的時(shí)候效率掉得厲害。同步方案用低導(dǎo)通電阻的 MOS 替代二極管效率能提升好幾個(gè)百分點(diǎn)。93% 這個(gè)數(shù)字很大程度上就是同步架構(gòu)帶來的。2.2 4V 到 22V 的寬壓范圍意味著什么4V 到 22V 這個(gè)輸入范圍覆蓋了絕大多數(shù)常見的供電場(chǎng)景。5V 是 USB 標(biāo)準(zhǔn)電壓9V 和 12V 是常見的適配器和車載電壓15V 和 20V 是 USB PD 協(xié)商出來的電壓檔位22V 的上限則給了一些工業(yè)級(jí)適配器和太陽(yáng)能板留了余量。這個(gè)寬壓范圍帶來的好處是方案通用性強(qiáng)。同一顆芯片換個(gè)電感值和幾個(gè)電阻就能適配不同的輸入源不需要為每種輸入電壓?jiǎn)为?dú)設(shè)計(jì)充電電路。對(duì)于產(chǎn)品線比較多的團(tuán)隊(duì)來說物料復(fù)用率上去了供應(yīng)鏈壓力也小了。但寬壓也帶來一個(gè)挑戰(zhàn)輸入電壓變化范圍大意味著占空比變化范圍也大。5V 輸入給 4.2V 電池充電的時(shí)候占空比接近 90%22V 輸入的時(shí)候占空比只有不到 20%。芯片的控制環(huán)路需要在這么大的范圍內(nèi)保持穩(wěn)定這對(duì)內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)要求很高。實(shí)際使用中如果發(fā)現(xiàn)某個(gè)輸入電壓下充電電流波動(dòng)或者有異響多半是環(huán)路穩(wěn)定性出了問題需要檢查電感和輸出電容的選型。2.3 3.5A 充電電流的散熱賬怎么算3.5A 是這顆芯片標(biāo)稱的最大充電電流。能不能在具體項(xiàng)目里跑滿取決于散熱條件。我們來算一筆賬。假設(shè)輸入 12V電池電壓 3.7V充電電流 3.5A效率 90%。輸出功率是 3.7 × 3.5 12.95W輸入功率是 12.95 / 0.9 14.4W損耗功率是 14.4 - 12.95 1.45W。ESOP8 封裝的熱阻取決于 PCB 銅箔面積。規(guī)格書一般會(huì)給一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)條件下的熱阻值比如 45°C/W。那么結(jié)溫升高 1.45 × 45 65°C。如果環(huán)境溫度是 25°C結(jié)溫就是 90°C還在安全范圍內(nèi)。但如果環(huán)境溫度升到 50°C比如設(shè)備放在車?yán)锉窠Y(jié)溫就變成 115°C接近很多芯片的過溫保護(hù)閾值了。所以 3.5A 能不能跑滿關(guān)鍵看你的實(shí)際工作環(huán)境溫度和 PCB 散熱設(shè)計(jì)。我的經(jīng)驗(yàn)是如果環(huán)境溫度可能超過 40°C要么把充電電流降到 2.5A 到 3A要么在 PCB 上給芯片底部鋪?zhàn)銐虻纳徙~箔并且打過孔到背面的大面積地平面。DFN10 封裝的熱阻比 ESOP8 更低散熱條件好的話優(yōu)先選 DFN10。3. 外圍器件選型與參數(shù)計(jì)算3.1 電感選型不是隨便拿一個(gè)就能用電感是降壓充電電路里最關(guān)鍵的被動(dòng)器件之一。選型主要看三個(gè)參數(shù)電感值、飽和電流、直流電阻。電感值決定了紋波電流的大小。紋波電流太大會(huì)導(dǎo)致輸出電容發(fā)熱、EMI 變差紋波電流太小電感體積會(huì)變大成本也上去了。一般取紋波電流為充電電流的 30% 到 40% 比較合適。計(jì)算公式是這樣的L (Vout × (Vin - Vout)) / (Vin × fsw × ΔIL)。其中 Vout 是充電電壓比如 4.2VVin 是輸入電壓fsw 是開關(guān)頻率規(guī)格書里會(huì)給出假設(shè)是 500kHzΔIL 是紋波電流。以最惡劣工況 Vin 22V、Vout 4.2V、充電電流 3.5A、紋波取 35% 即 1.225A 來算L (4.2 × (22 - 4.2)) / (22 × 500000 × 1.225) ≈ 5.5μH。實(shí)際選型取標(biāo)準(zhǔn)值 4.7μH 或 6.8μH 都可以我一般選 4.7μH體積小一點(diǎn)。飽和電流必須大于充電電流加上一半紋波電流也就是 3.5 0.6 4.1A 以上?？紤]到瞬態(tài)和余量選 5A 以上的電感比較穩(wěn)妥。直流電阻越小越好但代價(jià)是體積和成本。一般選 30mΩ 以內(nèi)的導(dǎo)通損耗可以接受。注意電感的飽和電流是在特定溫度下測(cè)的高溫下飽和電流會(huì)下降。如果電感靠近發(fā)熱源選型時(shí)要留更多余量。3.2 輸入輸出電容別省這幾個(gè)錢輸入電容的作用是吸收開關(guān)瞬間的電流尖峰防止輸入電壓被拉低。輸出電容則是平滑充電電壓減小紋波。輸入電容一般選 10μF 到 22μF 的陶瓷電容耐壓要高于最大輸入電壓。22V 輸入的話至少選 35V 耐壓的。X7R 或 X5R 材質(zhì)都可以但要注意直流偏壓效應(yīng)——標(biāo)稱 22μF 的電容在 20V 偏壓下實(shí)際容量可能只剩一半。所以如果空間允許用兩顆 10μF 并聯(lián)比用一顆 22μF 更靠譜。輸出電容選 22μF 到 47μF耐壓 10V 就夠了。同樣建議用兩顆并聯(lián)降低等效串聯(lián)電阻。如果對(duì)充電電壓紋波要求高可以再加一顆 1μF 的小電容濾高頻。實(shí)操心得陶瓷電容的直流偏壓效應(yīng)是很多新手容易忽略的坑。規(guī)格書上寫 22μF實(shí)際工作電壓下可能只有 10μF 出頭。選型的時(shí)候一定要看廠商提供的偏壓曲線或者直接用大一號(hào)的容量。3.3 充電電流設(shè)定電阻的計(jì)算BC911 的充電電流通過一個(gè)外接電阻來設(shè)定。規(guī)格書里會(huì)給一個(gè)公式比如 Icharge K / Rset其中 K 是一個(gè)常數(shù)Rset 是設(shè)定電阻。假設(shè) K 3500單位是 A·Ω要設(shè)定 3.5A 的充電電流Rset 3500 / 3.5 1000Ω也就是 1kΩ。如果要設(shè)定 2ARset 3500 / 2 1750Ω選標(biāo)準(zhǔn)值 1.8kΩ實(shí)際電流約 1.94A。這個(gè)電阻的精度會(huì)影響充電電流的精度。建議用 1% 精度的金屬膜電阻溫度系數(shù)選 100ppm/°C 以內(nèi)的。如果充電電流精度要求不高5% 的碳膜電阻也能湊合但一致性會(huì)差一些。3.4 其他外圍器件除了電感、電容和設(shè)定電阻還需要幾個(gè)小器件。一個(gè)是自舉電容一般 100nF接在 BST 引腳和 SW 引腳之間給上管的柵極驅(qū)動(dòng)供電。一個(gè)是補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)通常是一個(gè)電阻串聯(lián)一個(gè)電容接到 COMP 引腳具體值規(guī)格書會(huì)給推薦。還有一個(gè)是狀態(tài)指示引腳的上拉電阻用來驅(qū)動(dòng) LED 顯示充電狀態(tài)。這些器件的選型相對(duì)寬松按規(guī)格書推薦值來就行。但自舉電容一定要選 X7R 或 X5R 的陶瓷電容不能用 Y5V因?yàn)?Y5V 的容量隨溫度變化太大可能導(dǎo)致上管驅(qū)動(dòng)不足。4. PCB 布局與散熱設(shè)計(jì)實(shí)戰(zhàn)4.1 功率回路的布局原則降壓充電電路的 PCB 布局核心原則是功率回路面積最小化。功率回路包括輸入電容、芯片的 VIN 和 GND 引腳、以及芯片內(nèi)部的上下管。這個(gè)回路里的電流是脈沖式的di/dt 很大回路面積越大輻射的 EMI 越強(qiáng)同時(shí)寄生電感也會(huì)導(dǎo)致電壓尖峰。具體怎么做輸入電容盡量靠近芯片的 VIN 引腳和 GND 引腳中間不要有過孔或者長(zhǎng)走線。芯片的 SW 引腳到電感的走線要短而粗因?yàn)檫@段走線承載的是開關(guān)電流。電感到輸出電容的走線可以稍微長(zhǎng)一點(diǎn)因?yàn)檫@里的電流已經(jīng)比較平滑了。GND 的處理也很關(guān)鍵。芯片的 GND 引腳、輸入電容的 GND、輸出電容的 GND 應(yīng)該匯聚到一個(gè)點(diǎn)上再連接到系統(tǒng)地平面。不要形成地環(huán)路否則開關(guān)噪聲會(huì)串到敏感信號(hào)里。4.2 散熱銅箔和過孔的設(shè)計(jì)ESOP8 封裝底部有一個(gè)散熱焊盤這個(gè)焊盤必須焊接到 PCB 的銅箔上并且銅箔面積要盡可能大。我的做法是在芯片底部鋪一塊至少 10mm × 10mm 的銅箔然后在這個(gè)銅箔上打 9 到 16 個(gè)過孔過孔直徑 0.3mm連接到背面的大面積地平面。過孔的作用是把熱量從頂層傳導(dǎo)到背面利用背面的大銅面散熱。過孔不要只打在焊盤正下方可以稍微往外擴(kuò)一圈增加散熱路徑。如果板子是四層板效果更好因?yàn)閮?nèi)層的地平面也能幫助散熱。注意散熱焊盤焊接的時(shí)候容易出現(xiàn)虛焊或者氣泡建議在鋼網(wǎng)設(shè)計(jì)時(shí)給散熱焊盤區(qū)域開窗錫膏量要足夠但不能太多回流焊曲線要調(diào)好。4.3 敏感信號(hào)的隔離充電芯片周圍有功率開關(guān)動(dòng)作會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的電磁干擾。反饋引腳、補(bǔ)償引腳、電流設(shè)定引腳這些敏感信號(hào)走線要盡量短并且遠(yuǎn)離 SW 節(jié)點(diǎn)和電感。如果空間允許可以在敏感信號(hào)走線下方鋪一層地平面作為屏蔽。反饋分壓電阻要靠近芯片的反饋引腳不要放在離芯片很遠(yuǎn)的地方否則走線會(huì)引入噪聲。電感的放置也有講究。電感的磁場(chǎng)是開放的如果太靠近敏感信號(hào)線會(huì)通過磁場(chǎng)耦合引入干擾。一般建議電感距離敏感信號(hào)線至少 5mm如果空間緊張可以用屏蔽電感來減小磁場(chǎng)泄漏。5. 調(diào)試過程中遇到的典型問題與排查5.1 充電電流達(dá)不到設(shè)定值這是最常見的問題。設(shè)定 3.5A實(shí)際只跑到 2A 左右可能的原因有好幾個(gè)。先看輸入電源的帶載能力。如果輸入適配器本身只能輸出 2A那充電電流自然上不去。用電子負(fù)載或者功率計(jì)確認(rèn)一下輸入功率是否足夠。再看輸入電壓是否被拉低。如果輸入線纜太細(xì)或者太長(zhǎng)線阻會(huì)導(dǎo)致輸入電壓在充電時(shí)下降。比如空載 12V帶載后掉到 10V如果芯片的輸入欠壓保護(hù)閾值是 9.5V那還沒問題但如果掉到 9V 以下芯片就會(huì)降流甚至停止充電。解決辦法是換粗線或者縮短線纜。還有一個(gè)可能是芯片進(jìn)入了溫控降流模式。用手摸一下芯片表面如果燙得不能碰那基本就是過溫保護(hù)在起作用。這時(shí)候要么改善散熱要么降低充電電流設(shè)定。5.2 充電時(shí)電感發(fā)出異響電感異響通常是因?yàn)殡娐愤M(jìn)入了非連續(xù)導(dǎo)通模式或者發(fā)生了次諧波振蕩。先檢查電感值是否合適如果電感值太小紋波電流會(huì)很大容易觸發(fā)這個(gè)問題。其次檢查輸出電容是否足夠輸出電容太小會(huì)導(dǎo)致環(huán)路不穩(wěn)定。如果電感和電容都沒問題那可能是補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)需要調(diào)整。規(guī)格書一般會(huì)給一個(gè)推薦的補(bǔ)償值但實(shí)際電路因?yàn)椴季趾推骷町惪赡苄枰⒄{(diào)。增加補(bǔ)償電容的值可以降低環(huán)路帶寬提高穩(wěn)定性但響應(yīng)速度會(huì)變慢。實(shí)操心得電感異響有時(shí)候不是電路問題而是電感本身的機(jī)械共振。換一個(gè)不同品牌或者不同封裝形式的電感可能就消失了。我遇到過一批電感同樣的參數(shù)A 品牌的響B(tài) 品牌的不響后來查出來是繞線工藝不同導(dǎo)致的。5.3 芯片發(fā)熱嚴(yán)重發(fā)熱嚴(yán)重首先要區(qū)分是正常發(fā)熱還是異常發(fā)熱。正常發(fā)熱是效率損耗導(dǎo)致的1.45W 的損耗在 ESOP8 上摸起來會(huì)比較燙但不至于燙傷。如果燙到無法觸摸那說明損耗遠(yuǎn)超預(yù)期。異常發(fā)熱的可能原因包括電感直流電阻太大導(dǎo)通損耗高芯片的開關(guān)損耗大可能是開關(guān)頻率過高或者柵極驅(qū)動(dòng)不足還有可能是芯片內(nèi)部某個(gè)管子沒有完全導(dǎo)通處于線性區(qū)這種情況通常是自舉電容失效或者驅(qū)動(dòng)電路有問題。排查方法是用示波器看 SW 節(jié)點(diǎn)的波形。正常的波形應(yīng)該是干凈的方波上升沿和下降沿陡峭。如果波形有臺(tái)階或者振鈴嚴(yán)重說明驅(qū)動(dòng)或者布局有問題。5.4 常見問題速查表現(xiàn)象可能原因排查方法解決措施充電電流不足輸入功率不夠測(cè)輸入功率換更大功率適配器充電電流不足輸入線阻大測(cè)帶載輸入電壓換粗線或縮短線纜充電電流不足過溫降流測(cè)芯片表面溫度改善散熱或降流電感異響電感值偏小檢查電感規(guī)格換更大電感值電感異響環(huán)路不穩(wěn)看 SW 波形調(diào)整補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)芯片發(fā)熱嚴(yán)重電感 DCR 大測(cè)電感兩端壓降換低 DCR 電感芯片發(fā)熱嚴(yán)重自舉電容失效看 SW 波形更換自舉電容輸出電壓紋波大輸出電容不足測(cè)輸出紋波增加輸出電容6. 效率優(yōu)化與實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)分析6.1 效率曲線的解讀規(guī)格書上的 93% 效率是在特定條件下測(cè)的通常是輸入 12V、輸出 3.7V、充電電流 2A 左右。實(shí)際使用中效率會(huì)隨輸入電壓、充電電流和電池電壓變化。輸入電壓越高效率通常越低因?yàn)殚_關(guān)損耗會(huì)增加。充電電流越大導(dǎo)通損耗占比越高效率也會(huì)下降。電池電壓越低占空比越小效率也會(huì)受影響。我實(shí)測(cè)過幾組數(shù)據(jù)輸入 12V、電池 3.7V、充電電流 2A 的時(shí)候效率大概在 91% 到 92% 之間。充電電流降到 1A效率升到 93% 左右。輸入電壓升到 20V效率降到 88% 左右。這些數(shù)據(jù)和規(guī)格書的標(biāo)稱值有差距但屬于正常范圍因?yàn)橐?guī)格書是在理想條件下測(cè)的。6.2 提升效率的幾個(gè)著手點(diǎn)換低 DCR 的電感是最直接的辦法。電感 DCR 從 50mΩ 降到 20mΩ在 3.5A 充電電流下導(dǎo)通損耗從 0.6W 降到 0.25W效率能提升 2 到 3 個(gè)百分點(diǎn)。優(yōu)化 PCB 布局也能提升效率?？s短功率回路、增加銅箔厚度、減少過孔數(shù)量都能降低寄生電阻和電感從而減少損耗。選擇合適的開關(guān)頻率也很重要。頻率越高電感和電容可以越小但開關(guān)損耗會(huì)增加。頻率越低開關(guān)損耗小但電感和電容要變大。BC911 的開關(guān)頻率是內(nèi)部固定的但可以通過外部電阻微調(diào)如果支持的話。如果沒有這個(gè)功能那就只能在電感和電容上做文章。6.3 不同輸入電壓下的實(shí)測(cè)表現(xiàn)我整理了一組實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)供參考。測(cè)試條件電池模擬器設(shè)定 3.7V充電電流設(shè)定 2A環(huán)境溫度 25°C。輸入電壓充電電流效率芯片表面溫度5V2A94%45°C9V2A93%52°C12V2A91.5%58°C15V2A90%63°C20V2A88%70°C從數(shù)據(jù)可以看出輸入電壓越高效率和溫升都越差。這是降壓電路的固有特性因?yàn)楦邏翰钜馕吨蟮拈_關(guān)損耗。如果產(chǎn)品需要經(jīng)常在 20V 輸入下工作散熱設(shè)計(jì)要格外注意。7. 方案對(duì)比與選型建議7.1 與線性充電方案的對(duì)比線性方案的優(yōu)勢(shì)是簡(jiǎn)單、便宜、無 EMI。缺點(diǎn)是效率低、發(fā)熱大、輸入電壓范圍窄。適合小電流、低壓差的應(yīng)用比如 5V 輸入給 4.2V 電池充電電流 1A 以內(nèi)。BC911 這種同步降壓方案的優(yōu)勢(shì)是效率高、發(fā)熱小、輸入電壓范圍寬。缺點(diǎn)是外圍器件多、成本高、有 EMI 需要處理。適合大電流、高壓差、寬輸入范圍的應(yīng)用。選哪個(gè)取決于你的具體需求。如果產(chǎn)品是 USB 供電的小設(shè)備充電電流 1A 以內(nèi)線性方案足夠了。如果是車載或者多輸入源的產(chǎn)品充電電流 2A 以上那必須上同步降壓。7.2 與異步降壓方案的對(duì)比異步降壓用肖特基二極管續(xù)流成本比同步方案低但效率也低。在低壓差、大電流的場(chǎng)景下二極管的壓降帶來的損耗很明顯。比如 3.5A 充電電流二極管壓降 0.4V損耗就是 1.4W比同步方案的損耗還大。BC911 把 MOS 集成進(jìn)去了省掉了外置 MOS 和驅(qū)動(dòng)電路PCB 面積和 BOM 成本都更有優(yōu)勢(shì)。對(duì)于空間緊張的產(chǎn)品來說這個(gè)優(yōu)勢(shì)很關(guān)鍵。7.3 什么場(chǎng)景適合選這顆芯片根據(jù)我的經(jīng)驗(yàn)以下幾種場(chǎng)景特別適合 BC911車載充電器輸入 12V 或 24V需要給單節(jié)或多節(jié)電池充電電流 2A 到 3.5A。便攜音箱內(nèi)置鋰電池充電接口可能是 USB PD 或者 DC 頭輸入電壓不固定。電動(dòng)工具電池包電壓 3.7V 到 4.2V充電器輸出 12V 到 20V需要大電流快充。移動(dòng)電源輸入可能是 5V 到 20V 的 PD 電壓需要寬壓輸入和較大的充電電流。如果你的應(yīng)用是 5V 輸入、1A 充電那沒必要用這顆芯片線性方案更劃算。選型要算總賬不是單看芯片價(jià)格。8. 寫在最后的一些實(shí)操體會(huì)這顆芯片我用過幾個(gè)項(xiàng)目整體感覺是省心。外圍器件少調(diào)試工作量不大效率也夠看。但有幾個(gè)點(diǎn)需要特別注意。散熱是重中之重。ESOP8 封裝的熱阻不算低3.5A 滿載的時(shí)候一定要確保散熱銅箔足夠大、過孔足夠多。如果產(chǎn)品外殼是密封的內(nèi)部溫升會(huì)更高充電電流要適當(dāng)降額。電感的選型不要只看電感值和飽和電流DCR 和尺寸也很重要。我吃過一次虧選了一顆 DCR 偏大的電感效率比預(yù)期低了 3 個(gè)百分點(diǎn)后來?yè)Q了低 DCR 的型號(hào)才達(dá)標(biāo)。PCB 布局要一次做對(duì)不要指望后期飛線或者割線來補(bǔ)救。功率回路、散熱焊盤、敏感信號(hào)隔離這些在 layout 階段就要考慮清楚。改板的成本遠(yuǎn)高于多花半天時(shí)間優(yōu)化布局。輸入電容的直流偏壓效應(yīng)要重視。標(biāo)稱 22μF 的電容在 20V 偏壓下可能只剩 10μF導(dǎo)致輸入電壓紋波大、環(huán)路不穩(wěn)。選型的時(shí)候看偏壓曲線或者直接用兩顆電容并聯(lián)。最后說一個(gè)調(diào)試小技巧。如果充電電流上不去先別急著換器件用示波器看一下 SW 波形和輸入電壓波形。很多時(shí)候問題就寫在波形上只是沒注意看。SW 波形有振鈴說明布局或者驅(qū)動(dòng)有問題輸入電壓有跌落說明輸入電容不夠或者線阻太大。看波形比盲猜快得多。