1. 先搞清楚一件事MOS管并聯(lián)到底在解決什么問(wèn)題我第一次把兩顆MOS管并起來(lái)用是在一個(gè)低壓大電流的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)板上。單管持續(xù)跑二十幾安培TO-220封裝燙得根本不敢碰加了大散熱片也只是勉強(qiáng)壓住溫度于是很自然地想那就再并一顆吧電流分一半溫度不就下來(lái)了。結(jié)果上電之后兩顆管子的表面溫度一個(gè)明顯高于另一個(gè)用手背去感受都能分辨出來(lái)。那一刻我才真正意識(shí)到并聯(lián)不是把兩個(gè)同樣的器件放在一起那么簡(jiǎn)單它更像是在處理兩個(gè)性格略有差異的兄弟合伙干活——誰(shuí)強(qiáng)勢(shì)誰(shuí)就多出力而多出力的那個(gè)又更容易熱于是差距進(jìn)一步拉大。從行業(yè)視角看MOS管并聯(lián)幾乎出現(xiàn)在所有需要大電流的場(chǎng)合。低壓側(cè)的同步整流、Buck或者交錯(cuò)并聯(lián)Buck的每一相、電池保護(hù)板的大電流放電路徑、電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器的功率級(jí)、Boost升壓電路里的開(kāi)關(guān)管都能看到多管并聯(lián)的身影。這些場(chǎng)景有一個(gè)共同點(diǎn)單顆器件的導(dǎo)通電阻、封裝熱阻、以及SOA安全工作區(qū)都不足以單獨(dú)承擔(dān)全部電流或者單獨(dú)承擔(dān)時(shí)效率與溫升無(wú)法接受。并聯(lián)的價(jià)值就體現(xiàn)在這里——分流、降阻、散熱分?jǐn)?、以及在容性?fù)載或大電感負(fù)載下減少單管的瞬態(tài)壓力。但真正讓工程師頭疼的從來(lái)不是要不要并聯(lián)而是并了之后怎么保證它們真的在均流、均溫、均應(yīng)力。我見(jiàn)過(guò)太多板子原理圖上整整齊齊畫(huà)著四顆并聯(lián)的管子實(shí)際的PCB布局卻完全不對(duì)稱結(jié)果就是靠近驅(qū)動(dòng)的一顆先炸剩下幾顆跟著陪葬。也見(jiàn)過(guò)有人為了省錢(qián)省事共用一個(gè)柵極電阻去驅(qū)動(dòng)一整個(gè)并聯(lián)陣列最后在開(kāi)關(guān)瞬間被米勒效應(yīng)和源極電感耦合搞到自激振蕩。所以本篇要講的四大要點(diǎn)并不是教科書(shū)式地羅列幾條注意事項(xiàng)而是把我實(shí)際踩過(guò)的坑、以及和同行反復(fù)討論后總結(jié)出的核心邏輯攤開(kāi)來(lái)講。這四點(diǎn)分別對(duì)應(yīng)四個(gè)層面靜態(tài)均流、動(dòng)態(tài)均流柵極驅(qū)動(dòng)與開(kāi)關(guān)瞬態(tài)、PCB布局對(duì)稱性、以及熱設(shè)計(jì)。它們彼此不是孤立的很多時(shí)候一個(gè)問(wèn)題的表象在溫度上根因卻在布局或者柵極回路上。適合誰(shuí)讀做過(guò)或者要做大電流功率級(jí)的朋友無(wú)論你是搞電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源、逆變器還是電池保護(hù)只要你手里有一張?jiān)韴D上畫(huà)著兩組以上并聯(lián)MOS的板子這篇內(nèi)容大概率能幫你省下幾顆炸掉的管子。接下來(lái)我按從下往上的順序來(lái)講先把最底層的物理特性說(shuō)透再往驅(qū)動(dòng)、布局、熱設(shè)計(jì)逐步展開(kāi)。每一節(jié)都會(huì)盡量給出可量化的參數(shù)區(qū)間和判斷方法讓你能直接對(duì)照自己的板子去檢查。2. 并聯(lián)能成立的根基Rds(on)的正溫度系數(shù)究竟幫了多少忙2.1 正溫度系數(shù)是自動(dòng)均流的物理基礎(chǔ)但不是萬(wàn)能保險(xiǎn)MOS管有一個(gè)非常討喜的特性導(dǎo)通電阻Rds(on)具有正溫度系數(shù)。通俗地說(shuō)管子越熱它的導(dǎo)通電阻越大于是同樣電壓下流過(guò)的電流就越小。這帶來(lái)一個(gè)天然的負(fù)反饋如果兩顆并聯(lián)的管子里有一顆粒外多流了電流它會(huì)先熱起來(lái)熱了之后電阻變大分流就會(huì)自動(dòng)被拉回一部分最終兩顆粒達(dá)到某種動(dòng)態(tài)平衡。三極管就沒(méi)有這個(gè)待遇它的Vce(sat)是負(fù)溫度系數(shù)溫度越高壓降越小電流越往熱的管子里集中最終就是熱失控。這是MOS管比三極管更適合直接并聯(lián)的核心理由。但注意這個(gè)自動(dòng)均流機(jī)制只有在**導(dǎo)通狀態(tài)下、且處于可變電阻區(qū)線性區(qū)**時(shí)才真正有效。25℃到125℃之間普通低壓MOS的Rds(on)大約會(huì)增大1.5到2倍中高壓管比如600V級(jí)別可能增大2到2.5倍。假設(shè)兩顆管子初始Rds(on)差10%在充滿正溫度系數(shù)調(diào)節(jié)的穩(wěn)態(tài)下電流不均衡度會(huì)被顯著壓縮但絕不會(huì)變成零因?yàn)橥鈿囟群徒Y(jié)溫之間還隔著熱阻兩顆管子的熱阻不可能完全一致。方向。2.2 飽和區(qū)里正溫度系數(shù)會(huì)失靈甚至反噬這是很多人忽略的關(guān)鍵點(diǎn)。上面說(shuō)的正溫度系數(shù)是在可變電阻區(qū)成立的。一旦管子工作在飽和區(qū)恒流區(qū)也就是溝道已經(jīng)夾斷、電流由柵壓決定的那一段情況就完全變了溫度上升讓溝道遷移率下降、閾值電壓Vth下降綜合效果往往是同樣?xùn)艍合嘛柡碗娏麟S溫度上升而增大——也就是負(fù)溫度系數(shù)。這時(shí)候再把兩顆管子并聯(lián)并且讓它們工作在線性放大區(qū)比如用MOS做恒流源、或者做電子負(fù)載的線性調(diào)節(jié)就會(huì)看到電流迅速向溫度高的那一顆集中非常危險(xiǎn)。所以判斷能否并聯(lián)先要看你的應(yīng)用是開(kāi)關(guān)應(yīng)用還是線性應(yīng)用。開(kāi)關(guān)應(yīng)用中管子絕大部分時(shí)間在導(dǎo)通或截止處于可變電阻區(qū)或截止區(qū)正溫度系數(shù)能幫上忙線性應(yīng)用的并聯(lián)要非常謹(jǐn)慎通常不建議直接并或者必須做很強(qiáng)的源極鎮(zhèn)流和獨(dú)立反饋。2.3 并聯(lián)數(shù)量不是越多越好邊際效益會(huì)迅速衰減假設(shè)單管Rds(on)是5mΩ理論上并兩顆變2.5mΩ、三顆1.67mΩ、四顆1.25mΩ。看起來(lái)收益不錯(cuò)但實(shí)際要考慮幾個(gè)衰減因素第一PCB上的走線和焊點(diǎn)電阻不會(huì)因?yàn)椴⒙?lián)而減少反而隨著管數(shù)增加而攤薄不均第二驅(qū)動(dòng)能力要相應(yīng)增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)損耗上升第三并聯(lián)數(shù)量越多布局對(duì)稱的難度越大動(dòng)態(tài)均流越難保證第四成本、占板面積、故障點(diǎn)數(shù)量都在上升。我個(gè)人的經(jīng)驗(yàn)區(qū)間是2到4顆并聯(lián)是比較舒服的范圍超過(guò)4顆就要認(rèn)真評(píng)估是否改用更大封裝比如TO-247、D2PAK-7、或者并聯(lián)式模塊或者干脆換更低Rds(on)的器件。超過(guò)6顆并聯(lián)還能穩(wěn)定運(yùn)行的板子我見(jiàn)過(guò)的少數(shù)幾個(gè)案例都是布局極其講究、每條支路刻意做了對(duì)稱和獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的。還有一點(diǎn)值得提醒并聯(lián)之后單管的SOA壓力確實(shí)變小了因?yàn)榉值矫款w的電流減小了。但這不意味著可以無(wú)限放寬因?yàn)閯?dòng)態(tài)過(guò)程中如果出現(xiàn)不均流某一顆可能瞬時(shí)承載遠(yuǎn)超平均值的電流這時(shí)候SOA要被拿來(lái)做校核。粗略做法是估算瞬態(tài)峰值電流乘以一個(gè)1.3到1.5的不均流系數(shù)再對(duì)照該管的SOA曲線需要考慮脈寬和初始結(jié)溫留出余量。3. 靜態(tài)均流為什么同型號(hào)同批次這四個(gè)字遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠3.1 Rds(on)分檔與篩選決定的是最壞情況下的分流比例靜態(tài)均流指的是管子完全導(dǎo)通、進(jìn)入穩(wěn)態(tài)之后各管之間的電流分配。決定這個(gè)分配的最主要參數(shù)就是各自的Rds(on)。即使是同一批次、同一料號(hào)Rds(on)的離散度通常也有±10%甚至更大。更麻煩的是這個(gè)離散度還受溫度影響而溫度又受電流影響形成一個(gè)耦合方程。工程上最實(shí)際的做法是在采購(gòu)時(shí)要求供應(yīng)商提供分檔binning信息或者到貨后自己抽測(cè)關(guān)鍵參數(shù)。對(duì)于電流大、可靠性要求高的場(chǎng)景我甚至見(jiàn)過(guò)把整批管子用專門(mén)的夾具逐一測(cè)Rds(on)按接近的數(shù)值分組再并聯(lián)的。聽(tīng)起來(lái)很夸張但對(duì)幾百安培級(jí)別的應(yīng)用來(lái)說(shuō)這筆篩選成本遠(yuǎn)比炸管后返修便宜。如果沒(méi)法篩選那么退而求其次用源極鎮(zhèn)流電阻來(lái)強(qiáng)制均流。3.2 源極鎮(zhèn)流電阻加了會(huì)損效率不加又怕不均流源極鎮(zhèn)流source ballasting的做法是在每顆粒的源極與公共節(jié)點(diǎn)之間串一個(gè)小電阻。它的作用機(jī)制是電流大的管子在鎮(zhèn)流電阻上產(chǎn)生的壓降也大這個(gè)壓降會(huì)抬高源極電位等效于降低Vgs從而把該管的電流壓回去實(shí)現(xiàn)負(fù)反饋。那么這個(gè)電阻該取多大經(jīng)驗(yàn)上鎮(zhèn)流電阻上的壓降應(yīng)該至少與Rds(on)的離散壓差可比才能起到明顯的均流作用。假設(shè)Rds(on)標(biāo)稱5mΩ離散±10%即0.5mΩ那么鎮(zhèn)流電阻取1mΩ量級(jí)就能把不平衡壓到一個(gè)可接受的水平。代價(jià)是效率下降因?yàn)檫@幾毫歐會(huì)真實(shí)消耗功率而且它還是個(gè)額外的熱源。我的取舍原則是大電流、低成本、散熱充足的場(chǎng)合優(yōu)先上鎮(zhèn)流電阻追求極致效率、工作頻率較高的場(chǎng)合則盡量不加轉(zhuǎn)而用嚴(yán)格篩選加對(duì)稱布局來(lái)保證均流。兩者很少有兼得的。3.3 Vth差異它在靜態(tài)時(shí)不顯山露水動(dòng)態(tài)時(shí)卻是主角閾值電壓Vth的離散同樣存在同批次通?！?.5V左右。在靜態(tài)完全導(dǎo)通狀態(tài)下Vth的影響相對(duì)小因?yàn)闁艍哼h(yuǎn)高于Vth管子已經(jīng)充分開(kāi)啟。但在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)中Vth決定了一顆粒先開(kāi)、另一顆粒后開(kāi)以及先關(guān)、后關(guān)這直接導(dǎo)致開(kāi)關(guān)瞬間電流分配嚴(yán)重不均——這是動(dòng)態(tài)均流問(wèn)題的核心根源也是下一節(jié)要重點(diǎn)展開(kāi)的內(nèi)容。3.4 一個(gè)常被忽略的靜態(tài)參數(shù)體二極管壓降與反向恢復(fù)在同步整流、H橋、或者任何存在續(xù)流路徑的拓?fù)淅矬w二極管會(huì)參與工作。多管并聯(lián)時(shí)各自體二極管的正向壓降和反向恢復(fù)特性也存在差異。續(xù)流期間壓降小的那顆粒會(huì)優(yōu)先導(dǎo)通體二極管承受更大的續(xù)流電流和更嚴(yán)重的反向恢復(fù)損耗。如果這顆粒同時(shí)還負(fù)責(zé)開(kāi)關(guān)它的結(jié)溫就會(huì)比別的管子高出一截。處理這類問(wèn)題的常見(jiàn)做法是在布局上讓每顆管子的漏源回路盡量等長(zhǎng)讓寄生參數(shù)對(duì)稱以及在選型時(shí)優(yōu)先選擇體二極管特性一致的器件。這一塊往往被忽視但在高頻、大電流的同步整流場(chǎng)景里它帶來(lái)的溫升差異可能達(dá)到十幾度。4. 柵極驅(qū)動(dòng)并聯(lián)MOS最常翻車的地方4.1 每顆粒獨(dú)立柵極電阻是并聯(lián)驅(qū)動(dòng)的基本紀(jì)律我先說(shuō)結(jié)論多管并聯(lián)時(shí)每顆管子的柵極都應(yīng)該有自己獨(dú)立的柵極電阻不要圖省事把幾顆的柵極直接短接后共用一個(gè)電阻。原因有兩個(gè)層面。第一獨(dú)立柵極電阻可以抑制器件之間的柵極振蕩。并聯(lián)的管子它們的柵極走線、源極電感、內(nèi)部Cgs共同構(gòu)成了多個(gè)LC網(wǎng)絡(luò)如果柵極節(jié)點(diǎn)直接硬連接這些網(wǎng)絡(luò)會(huì)相互耦合很容易在開(kāi)關(guān)沿上出現(xiàn)高頻振鈴嚴(yán)重時(shí)就是自激。每顆管子串一個(gè)小電阻典型1到10Ω具體看驅(qū)動(dòng)能力相當(dāng)于給每條支路增加了阻尼破壞掉振蕩條件。第二獨(dú)立柵極電阻可以在一定程度上補(bǔ)償Vth離散帶來(lái)的開(kāi)啟時(shí)間差。雖然不能完全消除但可以讓各管柵極充電曲線的差異不那么尖銳。4.2 柵極電阻的阻值怎么定先算峰值電流再留阻尼余量驅(qū)動(dòng)電阻不是隨便拍一個(gè)數(shù)字?；居?jì)算流程是這樣的先確定你希望的開(kāi)通時(shí)間比如100ns再查器件的柵極總電荷Qg比如100nC那么所需平均柵極電流約為Ig Qg / t 1A。假設(shè)驅(qū)動(dòng)器輸出電壓10V、內(nèi)部驅(qū)動(dòng)電阻1Ω則外部柵極電阻Rg_ext ≈ 10V/1A ? 1Ω 9Ω。再結(jié)合支路阻尼需求取一個(gè)接近的標(biāo)稱值比如10Ω。如果驅(qū)動(dòng)芯片能力不足柵極充電變慢管子會(huì)長(zhǎng)時(shí)間停留在放大區(qū)損耗急劇上升PWM驅(qū)動(dòng)下MOS管發(fā)熱會(huì)非常明顯——這是很多人遇到的頻率不高但管子很燙的經(jīng)典原因之一。所以并聯(lián)時(shí)要核對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的峰值源/灌電流能力是否夠帶動(dòng)多顆管子的總Qg。參數(shù)單管值四管并聯(lián)總需求說(shuō)明總柵極電荷Qg60nC240nC直接相加目標(biāo)開(kāi)通時(shí)間100ns100ns由開(kāi)關(guān)損耗決定所需平均驅(qū)動(dòng)電流0.6A2.4AQg/t推薦峰值驅(qū)動(dòng)電流1.2A4.8A留2倍余量這張表說(shuō)明的是并聯(lián)之后驅(qū)動(dòng)能力要按倍數(shù)放大而不是沿用單管的驅(qū)動(dòng)電路。4.3 關(guān)斷加速二極管與負(fù)壓關(guān)斷的取舍在高頻、大電流場(chǎng)景關(guān)斷時(shí)間往往比開(kāi)通時(shí)間更關(guān)鍵因?yàn)殛P(guān)斷瞬間的dv/dt最容易通過(guò)米勒電容Cgd耦合到柵極引發(fā)誤開(kāi)通shoot-through。常見(jiàn)的對(duì)策是在柵極電阻上反并一個(gè)二極管加一個(gè)小電阻形成開(kāi)通走大電阻、關(guān)斷走小電阻的非對(duì)稱驅(qū)動(dòng)。對(duì)并聯(lián)陣列來(lái)說(shuō)這個(gè)二極管同樣要每顆粒獨(dú)立配置。因?yàn)槿绻灿藐P(guān)斷時(shí)的電流會(huì)通過(guò)二極管在幾顆粒之間形成環(huán)流反而加劇振蕩。另外如果驅(qū)動(dòng)器支持負(fù)壓關(guān)斷比如?5V那就更好負(fù)壓能顯著提高抗米勒誤開(kāi)通的能力代價(jià)是需要額外的負(fù)壓電源和更注意Vgs的絕對(duì)最大額定值。4.4 米勒效應(yīng)在并聯(lián)里的特殊表現(xiàn)米勒效應(yīng)本質(zhì)是漏極電壓變化通過(guò)Cgd耦合到柵極在米勒平臺(tái)期間柵壓幾乎不動(dòng)、漏極電壓快速變化。多管并聯(lián)時(shí)各管的Cgd、Cds存在離散且各管漏極節(jié)點(diǎn)的寄生電感不同導(dǎo)致耦合強(qiáng)度和相位不同。如果某顆粒的漏極振鈴特別嚴(yán)重它就會(huì)通過(guò)Cgd把自己的柵極也抖起來(lái)進(jìn)而影響整組管子的柵極電位。我實(shí)際調(diào)試時(shí)遇到過(guò)一次典型現(xiàn)象四顆粒并聯(lián)的Boost電路空載時(shí)波形干凈帶載到一半以后柵極波形出現(xiàn)明顯的高頻毛刺并伴隨效率下降。后來(lái)發(fā)現(xiàn)是其中兩顆離驅(qū)動(dòng)芯片最遠(yuǎn)、源極走線最長(zhǎng)源極電感在高di/dt下抬高了局部源極電位等效減小了Vgs。解決辦法是把驅(qū)動(dòng)回路改成以各管源極為參考的凱爾文連接見(jiàn)下一節(jié)并把驅(qū)動(dòng)走線做成對(duì)稱的樹(shù)狀結(jié)構(gòu)。5. PCB布局對(duì)稱性是并聯(lián)穩(wěn)定性的一切根基5.1 源極電感耦合是動(dòng)態(tài)不均流的頭號(hào)元兇功率回路的走線不可避免帶有寄生電感。多管并聯(lián)時(shí)如果各管的源極走線長(zhǎng)度不同那么它們的**共源電感common source inductance**就不同。在開(kāi)關(guān)瞬間電流變化率極高可達(dá)每微秒幾百安培此時(shí)源極電感上的壓降 L·di/dt 會(huì)直接疊加在有效柵源電壓上導(dǎo)致各管的實(shí)際Vgs不同于是開(kāi)啟、關(guān)斷的時(shí)序錯(cuò)開(kāi)電流分配失衡。這就是為什么我反復(fù)強(qiáng)調(diào)功率回路和驅(qū)動(dòng)回路必須分開(kāi)走驅(qū)動(dòng)要以每顆粒自己的源極為參考點(diǎn)取樣。具體做法是每顆粒的源極在封裝引腳附近單獨(dú)引一條細(xì)線回到驅(qū)動(dòng)芯片的對(duì)應(yīng)參考腳而大電流路徑另走粗銅箔。這種接法業(yè)內(nèi)叫凱爾文源極Kelvin source連接。5.2 對(duì)稱布局的具體檢查清單對(duì)稱不是看起來(lái)差不多而是要把每一條支路的寄生參數(shù)盡量做到一致。我給自己定的檢查清單是這樣的每顆粒的漏極到公共節(jié)點(diǎn)的銅箔寬度、長(zhǎng)度、過(guò)孔數(shù)量盡量一致每顆粒的源極到大電流公共節(jié)點(diǎn)、以及到驅(qū)動(dòng)參考點(diǎn)的路徑長(zhǎng)度差控制在幾毫米以內(nèi)驅(qū)動(dòng)走線采用從驅(qū)動(dòng)器向外對(duì)稱分叉的樹(shù)形結(jié)構(gòu)而不是一長(zhǎng)串串聯(lián)每顆粒的柵極電阻緊靠器件放置縮短?hào)艠O走線去耦電容尤其是高頻陶瓷電容盡量靠近每顆粒的漏源之間放置形成短回路多顆并聯(lián)時(shí)避免把某顆粒放在角落或遠(yuǎn)端讓所有管子在幾何上盡量均等。為了把這些講清楚我列一個(gè)對(duì)比表檢查項(xiàng)常見(jiàn)錯(cuò)誤做法推薦做法影響柵極電阻共用一個(gè)電阻每管獨(dú)立抑制振蕩、補(bǔ)償時(shí)序源極參考公共源極直接取凱爾文源極單獨(dú)走改善動(dòng)態(tài)均流去耦電容整組共用一個(gè)每管附近就近放置減小回路電感驅(qū)動(dòng)走線串聯(lián)長(zhǎng)走線對(duì)稱樹(shù)形分叉保證時(shí)序一致功率銅箔隨意鋪銅支路等長(zhǎng)等寬均衡寄生參數(shù)5.3 功率回路面積并聯(lián)不改變這一鐵律無(wú)論并幾顆粒功率回路電流流經(jīng)的最小閉環(huán)面積越小越好?；芈访娣e越大寄生電感越大關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰越高振鈴越強(qiáng)。對(duì)并聯(lián)陣列來(lái)說(shuō)還要額外注意避免形成大環(huán)套小環(huán)——即大電流從驅(qū)動(dòng)參考路徑旁路流過(guò)在驅(qū)動(dòng)回路上感應(yīng)出噪聲。方法就是把大電流回路和高di/dt的驅(qū)動(dòng)回路在物理上盡量分開(kāi)中間用GND銅箔或者縫隙隔開(kāi)。還有一個(gè)細(xì)節(jié)是過(guò)孔。大電流路徑上的過(guò)孔要多個(gè)并聯(lián)每個(gè)過(guò)孔的載流能力和熱阻都要考慮。很多時(shí)候板子正面看起來(lái)對(duì)稱翻過(guò)來(lái)發(fā)現(xiàn)某顆粒的源極只通過(guò)一個(gè)細(xì)過(guò)孔回地這個(gè)過(guò)孔就變成了隱性瓶頸也會(huì)導(dǎo)致該管源極電位被抬高。6. 熱設(shè)計(jì)并聯(lián)之后溫度分布里的隱藏陷阱6.1 熱耦合分享散熱器并不總是好事理論上多管并聯(lián)配一個(gè)大散熱器總熱阻下降溫升改善。但實(shí)際中如果多顆粒裝在同一塊散熱器上它們之間存在熱耦合一顆管子發(fā)熱會(huì)通過(guò)散熱器把熱量傳給旁邊的管子使鄰管的本地環(huán)境溫度升高從而降低了它們的散熱效率。當(dāng)各管的功耗本來(lái)就不均勻時(shí)比如靜態(tài)Rds(on)差異導(dǎo)致的熱耦合會(huì)讓強(qiáng)者愈強(qiáng)、弱者愈弱其實(shí)方向是反的——熱的管子把熱量傳給冷的管子反而有助于溫度均衡但前提是散熱器本身導(dǎo)熱足夠好、熱阻足夠低。如果散熱器熱阻偏高熱量會(huì)堆積在熱源的局部形成局部熱點(diǎn)反而惡化。我的經(jīng)驗(yàn)是小功率并聯(lián)單管幾瓦以內(nèi)共用散熱器通常利大于弊但大功率單管十幾瓦以上并聯(lián)時(shí)優(yōu)先考慮每管獨(dú)立散熱片或者用高導(dǎo)熱絕緣墊片讓耦合更均勻同時(shí)把各管在散熱器上的位置盡量對(duì)稱避免有的靠邊緣有的在正中間。6.2 溫度反饋應(yīng)該測(cè)哪里很多保護(hù)電路只在一處放一個(gè)NTC或者用MOS內(nèi)部溫度傳感器。多管并聯(lián)時(shí)最熱的那一顆粒往往不在你測(cè)的位置。更穩(wěn)妥的做法是要么在每顆粒附近都放測(cè)溫點(diǎn)要么把測(cè)溫點(diǎn)放在熱耦合最強(qiáng)、預(yù)計(jì)溫度最高的位置。有些高端MOS內(nèi)置了溫度傳感腳可以直接讀結(jié)溫這對(duì)并聯(lián)應(yīng)用是非常有價(jià)值的。如果器件沒(méi)有這個(gè)能力用外置NTC貼在管殼背面同時(shí)留出一定的保護(hù)裕量把過(guò)溫保護(hù)的觸發(fā)點(diǎn)設(shè)在比實(shí)際結(jié)溫上限低20到30℃的位置。6.3 熱失控的連鎖反應(yīng)與預(yù)防在實(shí)際工程中最壞情形是一顆管子因?yàn)殪o態(tài)不均流先熱起來(lái)熱了以后輪到熱設(shè)計(jì)不足散熱不及時(shí)結(jié)溫持續(xù)上升進(jìn)入飽和區(qū)造成負(fù)溫度系數(shù)電流進(jìn)一步向它集中最終熱失控。預(yù)防的關(guān)鍵就在于把前面三節(jié)的功課都做好——靜態(tài)能均流、動(dòng)態(tài)不易振蕩、布局足夠?qū)ΨQ然后用熱設(shè)計(jì)兜底。最后分享一點(diǎn)我反復(fù)驗(yàn)證過(guò)的實(shí)操心得在并聯(lián)MOS的板子首次上電時(shí)不要一上來(lái)就滿載。我的習(xí)慣是先空載確認(rèn)驅(qū)動(dòng)波形干凈、沒(méi)有明顯振鈴和誤開(kāi)通然后從小電流比如額定的20%開(kāi)始用紅外測(cè)溫或者熱電偶逐顆對(duì)比溫升如果幾顆粒的溫差在5℃以內(nèi)基本可以判定均流和布局過(guò)關(guān)如果溫差超過(guò)10℃不要急著加大負(fù)載先回頭查對(duì)稱性和柵極獨(dú)立電阻。這一小步幫我省下過(guò)不止一批管子。