做硬件調(diào)試這些年我最怕的不是“電路不工作”而是“電路好像工作正常但波形上總有那么點(diǎn)不對勁”。尤其第一次在實(shí)驗(yàn)室用雙脈沖平臺(tái)測MOS管柵極波形時(shí)那個(gè)關(guān)斷瞬間的振鈴直接把我整懵了——柵極電壓沖上去將近兩倍振蕩了快十個(gè)周期才平息一查驅(qū)動(dòng)芯片規(guī)格書的絕對最大額定值已經(jīng)逼近極限。后來翻了六塊樣板換了三種驅(qū)動(dòng)電阻才把這個(gè)問題徹底吃透。今天就專門講講MOS管的振鈴現(xiàn)象。這篇文章不是教科書式的原理復(fù)述而是我從波形識(shí)讀、根因定位到方案落地的完整記錄全程帶實(shí)測數(shù)據(jù)和參數(shù)估算適合剛接觸功率電子、正在調(diào)DC-DC或電機(jī)驅(qū)動(dòng)的學(xué)生也適合被EMI測試折磨得想砸示波器的老工程師。1. 振鈴從哪來柵極驅(qū)動(dòng)回路的LC寄生參數(shù)1.1 寄生參數(shù)不是“設(shè)計(jì)失誤”而是物理現(xiàn)實(shí)要理解振鈴先要把“理想”和“現(xiàn)實(shí)”的差距搞清楚。理想的MOS管驅(qū)動(dòng)電路就是一個(gè)電壓源串一個(gè)電阻去給柵極電容充電波形應(yīng)該是平滑的RC充電曲線干凈利落。但實(shí)際電路里驅(qū)動(dòng)芯片輸出端到MOS管柵極之間有一條PCB走線這條走線有寄生電感大約1nH/mmMOS管的每個(gè)引腳也有封裝電感柵源兩極之間還有寄生電容Cgs柵漏之間有米勒電容Cgd。這些寄生L和C連起來就是一個(gè)典型的二階RLC諧振回路。很多人忽略了一個(gè)核心問題寄生電感不是在開關(guān)頻率產(chǎn)生作用的而是在電流突變那一刻。MOS管開通過程中柵極電流急劇變化寄生電感上的感應(yīng)電動(dòng)勢會(huì)和驅(qū)動(dòng)電壓疊加形成振鈴。振鈴是一個(gè)高頻現(xiàn)象頻率往往在幾十到幾百M(fèi)Hz這個(gè)區(qū)間這和開關(guān)頻率無關(guān)只和寄生參數(shù)的數(shù)值有關(guān)這也是它難以被察覺又難以消除的根本原因。1.2 二階欠阻尼系統(tǒng)的定性分析只要學(xué)過電路分析基礎(chǔ)看到RLC串聯(lián)回路就應(yīng)該想到二階系統(tǒng)的三種狀態(tài)過阻尼、臨界阻尼、欠阻尼。振鈴就是典型的欠阻尼狀態(tài)——回路中的等效串聯(lián)電阻不夠大無法快速消耗儲(chǔ)存在電感和電容里的能量于是LC之間不停地交換能量表現(xiàn)在波形上就是一個(gè)衰減震蕩。要定量分析這個(gè)問題關(guān)鍵是算出回路的特征阻抗諧振頻率f 1 / (2π√(LC))特性阻抗Z0 √(L / C)臨界阻尼條件R_total ≥ 2√(L / C)我用一個(gè)實(shí)際例子帶大家算一遍。假設(shè)某顆MOS管的輸入電容Ciss1nF驅(qū)動(dòng)回路走線較長總寄生電感Lgate20nH那么特性阻抗約為 √(20/1) ≈ 4.47Ω臨界阻尼電阻約為 2 × 4.47 ≈ 8.9Ω諧振頻率約為 1 / (2π√(20×1)) ≈ 35.6MHz這里的R_total指的是驅(qū)動(dòng)芯片輸出級的等效電阻、柵極串聯(lián)的外置電阻、MOS管內(nèi)部柵極電阻三者之和。如果這三項(xiàng)加起來小于8.9Ω電路就會(huì)處于欠阻尼狀態(tài)振鈴幾乎不可避免?，F(xiàn)在很多快恢復(fù)型驅(qū)動(dòng)芯片的輸出阻抗只有1~2Ω內(nèi)部Rg小到1Ω左右如果外置柵極電阻再選個(gè)4.7Ω加起來也不到8Ω振鈴自然就會(huì)出現(xiàn)。提示這段估算極其有用。拿到MOS管規(guī)格書查Ciss和內(nèi)部Rg再算一下驅(qū)動(dòng)回路的總電感心里就有數(shù)了。總電感可以通過Layout的經(jīng)驗(yàn)值粗估每毫米走線約0.7~1nH加上引腳封裝電感大約2~5nH。1.3 開通和關(guān)斷的不對稱振鈴現(xiàn)象實(shí)際調(diào)試時(shí)會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)很有意思的現(xiàn)象同一個(gè)電路開通過程的振鈴和關(guān)斷過程的振鈴?fù)灰粯?。這背后的原因是驅(qū)動(dòng)芯片的source和sink能力是不同的推挽輸出級的PMOS和NMOS導(dǎo)通阻抗有差異導(dǎo)致回路的總阻尼電阻在開通和關(guān)斷時(shí)不同。此外MOS管的Miller效應(yīng)讓這個(gè)差異進(jìn)一步放大。開通過程中Vds從高電平下降時(shí)dv/dt非常大通過Cgd向柵極注入位移電流相當(dāng)于給柵極回路注入了一個(gè)外部電流源關(guān)斷過程中Vds上升這個(gè)位移電流的方向剛好相反。所以你會(huì)看到往往關(guān)斷瞬間的負(fù)向振鈴比開通瞬間的正向振鈴更嚴(yán)重這在橋式電路中尤其明顯。2. 實(shí)測波形怎么讀從開通到關(guān)斷的振鈴特征2.1 一次典型的雙脈沖測試波形我自己調(diào)試電機(jī)驅(qū)動(dòng)板時(shí)用的是雙脈沖測試法這是評估MOS管開關(guān)行為最標(biāo)準(zhǔn)的方法。給低邊MOS管一個(gè)脈寬可調(diào)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)高邊管子保持關(guān)閉只靠體二極管續(xù)流。示波器探頭分別掛在Vgs和Vds上。拍到的波形大致是這樣的開通瞬間Vgs快速上升越過平臺(tái)區(qū)后繼續(xù)爬升在到達(dá)驅(qū)動(dòng)電壓附近時(shí)出現(xiàn)明顯過沖振蕩幅度約1V頻率大約30~40MHz衰減了六七個(gè)周期后趨于穩(wěn)定。期間Vds在Miller平臺(tái)區(qū)開始急劇下降其下降沿上也疊加了小幅振鈴。關(guān)斷瞬間Vgs從高電平下拉同樣出現(xiàn)負(fù)向振鈴幅度比開通過沖還大最低點(diǎn)一度打到-2V以下。Vds上升沿的振鈴反而是最醒目的過沖幅度超過穩(wěn)態(tài)電壓的20%。這組波形幾乎就是教科書式的MOS管振鈴案例。Vgs在開通末端和關(guān)斷起始端的過沖根源就在柵極驅(qū)動(dòng)回路的寄生電感Vds上的振鈴根源在功率回路漏源回路的寄生電感和Cds的諧振。2.2 不同柵極電阻下的波形對比為了量化振鈴與柵極電阻的關(guān)系我做了四組對照實(shí)驗(yàn)。驅(qū)動(dòng)電壓12V同一顆MOS管唯一變量是外置柵極電阻Rg。記錄數(shù)據(jù)如下外置RgΩ開通Vgs過沖V振鈴頻率MHz振鈴衰減周期數(shù)開關(guān)延遲變化4.72.336.28基準(zhǔn)101.135.84略增220.435.12明顯增加47幾乎無34.61顯著增加這個(gè)表格反映的規(guī)律很明顯電阻越大阻尼越大振鈴越小但代價(jià)是開關(guān)速度變慢。諧振頻率變化不明顯這符合理論預(yù)期——頻率由LC決定電阻只影響阻尼和衰減速度對頻率的影響微乎其微。2.3 Miller平臺(tái)區(qū)域的“隱形振鈴”只看過沖和衰減還不夠最容易出問題的地方其實(shí)是Miller平臺(tái)區(qū)域。開通過程中當(dāng)Vds開始下降Cgd電容上流過大電流相當(dāng)于給柵極回路注入了一個(gè)強(qiáng)干擾源。在欠阻尼狀態(tài)下這個(gè)干擾源會(huì)和寄生電感發(fā)生諧振表現(xiàn)為Vgs在平臺(tái)附近出現(xiàn)小幅度的波動(dòng)嚴(yán)重時(shí)這個(gè)波動(dòng)的低谷會(huì)回落到Vth以下造成柵極電壓反復(fù)穿越閾值導(dǎo)通狀態(tài)不穩(wěn)定。在橋式半橋電路中這種反復(fù)穿越會(huì)引發(fā)一個(gè)更可怕的問題——上下兩個(gè)管子同在一個(gè)很短的瞬間同時(shí)導(dǎo)通形成貫穿短路。我見過一個(gè)極端案例電機(jī)驅(qū)動(dòng)板在關(guān)機(jī)瞬間直接炸管后來定位出來就是Miller平臺(tái)的柵極振鈴加上沒有任何鉗位措施導(dǎo)致上下管共通電流瞬間拉爆。這就是為什么很多驅(qū)動(dòng)芯片要內(nèi)置Miller鉗位功能的原因。假如你的半橋電路里Vgs波形在平臺(tái)區(qū)出現(xiàn)鋸齒狀抖動(dòng)并且管子溫度異常升高幾乎可以肯定振鈴已經(jīng)影響到安全性了。3. 最容易放大振鈴的四個(gè)測量與布局坑3.1 示波器探頭地線夾可能是“假振鈴”的源頭我在早期調(diào)試時(shí)吃過大虧當(dāng)時(shí)拿普通探頭配一根五六厘米長的鱷魚夾地線去測柵極波形測出的振鈴幅度高達(dá)4V多嚇得我以為驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)有問題。后來一位有經(jīng)驗(yàn)的前輩讓我換上短彈簧地線重新測振鈴幅度直接減半都不止。問題出在探頭本身。普通探頭的地線夾相當(dāng)于一根很長的導(dǎo)線它的自感量大約在50~100nH這可比PCB走線的寄生電感大多了。你在柵極上掛上這根“天線”等于人為地給驅(qū)動(dòng)回路串聯(lián)了一個(gè)大電感諧振頻率被拉低振鈴被放大。換句話說你測到的不是電路真實(shí)的振鈴而是示波器探頭自己制造的振鈴。正確的做法是使用探頭原廠配套的短接地彈簧或者用銅箔做一個(gè)極短的回流路徑讓探頭信號(hào)針和地之間的環(huán)路面積最小化。這一步做完再判斷電路是否存在振鈴才是可靠的前提。如果換了短彈簧以后波形明顯變化說明原來的“振鈴”有很大成分是測量系統(tǒng)的假象。3.2 柵極驅(qū)動(dòng)回路面積過大吸波電感與去耦電容的位置PCB布局對驅(qū)動(dòng)回路寄生電感的影響是在Layout評審階段就該把關(guān)的。驅(qū)動(dòng)回路包括驅(qū)動(dòng)芯片的輸出引腳 → 柵極電阻 → MOS管的柵極引腳 → MOSFET源極引腳 → 驅(qū)動(dòng)芯片的GND引腳。這條回路包圍的面積越大寄生電感越大振鈴越嚴(yán)重。很多人容易犯的錯(cuò)誤是把柵極電阻放在離驅(qū)動(dòng)芯片很近、但離MOS管很遠(yuǎn)的位置或者源極引腳的回流走線繞了很長的路才回到驅(qū)動(dòng)芯片地。正確的布局思路是驅(qū)動(dòng)芯片的輸出要先經(jīng)過柵極電阻電阻盡量靠近MOS管的柵極引腳驅(qū)動(dòng)芯片的地線單獨(dú)走回MOS管源極不要借用功率回路的地線。因?yàn)闁艠O電阻靠近MOS管可以最大程度上把寄生電感分隔成兩段驅(qū)動(dòng)芯片到電阻之間的電感與電阻串聯(lián)電阻到柵極之間的電感與柵極電容串聯(lián)。后者的存在會(huì)讓柵極回路在關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)負(fù)壓尖峰所以要盡量縮短。注意PCB布局優(yōu)化是所有振鈴抑制方案里成本最低、效果最穩(wěn)的前提是你在畫板階段就考慮進(jìn)去。板子做好之后想靠電容電阻補(bǔ)回來永遠(yuǎn)都是亡羊補(bǔ)牢。3.3 驅(qū)動(dòng)電流回采時(shí)刻與振鈴的關(guān)系還有一個(gè)小細(xì)節(jié)藏在驅(qū)動(dòng)芯片的采樣和死區(qū)控制里。很多驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部有OCP過流保護(hù)、DESAT退飽和檢測這類功能它們采樣電壓的時(shí)機(jī)如果恰好落在振鈴的高頻區(qū)就會(huì)誤觸發(fā)保護(hù)。我曾經(jīng)遇到過開機(jī)一瞬間驅(qū)動(dòng)芯片報(bào)過流故障查來查去不是真的過流而是開通振鈴干擾了采樣引腳芯片誤判。對這類問題的排查要認(rèn)真分析波形把驅(qū)動(dòng)芯片的故障輸出和柵極波形同步顯示看故障信號(hào)是不是剛好落在振鈴嚴(yán)重的時(shí)刻。如果是要么在采樣引腳下功夫?yàn)V波要么先從振鈴源頭下手把振蕩抑制掉。3.4 溫度對振鈴幅度的影響這個(gè)坑比較隱蔽容易讓工程師在“冷板”和“熱板”上得出完全相反的結(jié)論。MOS管內(nèi)部柵極電阻Rg是正溫度系數(shù)的溫度升高Rg變大會(huì)增加阻尼振鈴會(huì)減輕。所以在冬天測板子室溫低Rg小振鈴表現(xiàn)更嚴(yán)重滿載跑熱以后振鈴反而不明顯了。這其實(shí)是個(gè)好消息意味著你的設(shè)計(jì)按常溫最惡劣情況來校驗(yàn)就可以但也提醒一點(diǎn)溫度沖擊試驗(yàn)如果需要測振鈴相關(guān)的指標(biāo)要在指定的環(huán)境溫度下復(fù)測別被溫度“矯正”了你對電路真實(shí)狀態(tài)的判斷。4. 壓振鈴的常規(guī)手段和參數(shù)估算方法4.1 柵極串聯(lián)電阻最簡單也是最可控的“阻尼器”加大外置柵極電阻Rg是抑制振鈴最直接的手段。它的原理不復(fù)雜就是給RLC諧振回路增加等效串聯(lián)電阻讓系統(tǒng)從欠阻尼向臨界阻尼或過阻尼靠近把儲(chǔ)存在LC里的能量消耗在電阻上。選多大合適以我常用的選型流程為例先根據(jù)開關(guān)損耗要求估算Rg的下限。開關(guān)時(shí)間與Qg和驅(qū)動(dòng)電流相關(guān)開關(guān)越快損耗越低Rg不能太大。再根據(jù)振鈴抑制要求估算Rg的上限。用臨界阻尼條件優(yōu)先估算公式是R_total ≈ 2√(L/C)。在實(shí)際板子上掃描多個(gè)阻值在允許的開關(guān)損耗范圍內(nèi)選擇能滿足振鈴要求的阻值。我在一個(gè)DC-DC項(xiàng)目里這樣操作過最初用的是4.7Ω振鈴幅度2.3V換成10Ω后振鈴降到1.1V上升時(shí)間多了不到10ns損耗增加可以忽略再換到22Ω振鈴還有0.4V但延遲和損耗明顯上去了。最終選了10Ω屬于性價(jià)比最高的平衡點(diǎn)。4.2 磁珠不拖慢開關(guān)速度的高頻吸收器有些場合開關(guān)頻率很高或者對損耗很敏感柵極電阻不能加太大這時(shí)候可以在柵極回路串一顆磁珠。磁珠在低頻時(shí)阻抗非常小不影響正常的柵極充放電在振鈴對應(yīng)的高頻段阻抗迅速升高相當(dāng)于一個(gè)會(huì)消耗高頻能量的電阻。選磁珠的時(shí)候重點(diǎn)看兩個(gè)參數(shù)一是標(biāo)稱阻抗通常以100MHz時(shí)的阻抗值來定義選幾十到幾百歐的常見值二是額定電流柵極的平均電流很小但峰值脈沖電流不小要確保磁珠能扛住否則會(huì)飽和失效。磁珠的安裝位置也有講究盡量靠近MOS管柵極引腳讓需要被濾波的高頻能量在進(jìn)管之前就被消耗掉。我實(shí)際測試過在Rg4.7Ω的基礎(chǔ)上加一顆100MHz/120Ω的磁珠振鈴幅度能從2.3V降到0.8V左右效果和直接加22Ω電阻差不多但開關(guān)損耗增加明顯更小精度要求高的場合值得用。4.3 RC吸收電路從漏源側(cè)消耗諧振能量振鈴不僅出現(xiàn)在柵極也出現(xiàn)在Vds上。Vds的振鈴來源于功率回路寄生電感和Cds的諧振幅度大時(shí)會(huì)疊加在母線電壓上嚴(yán)重威脅MOS管的耐壓余量。針對Vds振鈴常規(guī)做法是在漏源兩端并聯(lián)RC吸收支路也就是Snubber電路。它的原理是用一個(gè)電阻去消耗漏源諧振的能量用一個(gè)電容去把諧振頻率拉低同時(shí)提供一條低阻抗路徑讓地電流通過。參數(shù)選擇沒有嚴(yán)格公式我一般按這樣的經(jīng)驗(yàn)起步R的值取功率回路特征阻抗的1~3倍比如寄生電感估算為50nHCds為500pF則特征阻抗約為√(50n/500p)≈10ΩR從10Ω起步試。C取Cds的2~4倍并在這個(gè)量級調(diào)整。C太大RC自身的開關(guān)損耗會(huì)顯著增加不宜過大。實(shí)測觀察Vds振鈴和開關(guān)損耗微調(diào)R/C找到平衡點(diǎn)。這個(gè)過程必須在示波器上反復(fù)觀察因?yàn)榧纳鷧?shù)受PCB布局影響很大理論估算只能作為起點(diǎn)最終要以實(shí)測波形的振蕩衰減速度為依據(jù)。4.4 有源Miller鉗位橋式電路的保命技能如果你的電路是半橋或全橋結(jié)構(gòu)有源Miller鉗位幾乎應(yīng)該是標(biāo)配。它的原理是在柵極電壓檢測到米勒平臺(tái)區(qū)域出現(xiàn)異常波動(dòng)時(shí)用一個(gè)內(nèi)部MOS管主動(dòng)把柵極拉到低電平讓漏極的dv/dt無法通過Cgd往柵極注入能量從而避免Vgs抬升到開啟電壓以上導(dǎo)致上下管共通。很多集成驅(qū)動(dòng)芯片已經(jīng)內(nèi)置了這個(gè)功能只需要在規(guī)格書中確認(rèn)它的鉗位閾值和響應(yīng)時(shí)間即可。如果你用的是分立驅(qū)動(dòng)電路可以加一個(gè)外部的PNP管做有源下拉在關(guān)斷瞬間快速把柵極鉗到地。但這里有個(gè)容易忽略的點(diǎn)有源Miller鉗位是抑制“米勒平臺(tái)振鈴導(dǎo)致誤導(dǎo)通”的最后防線它并不能消滅振鈴本身。振鈴的能量依然存在只是被鉗位掉對系統(tǒng)性命攸關(guān)的那部分風(fēng)險(xiǎn)。所以把鉗位當(dāng)作“安全網(wǎng)”把柵極電阻當(dāng)成“主攻手”組合使用效果最理想。4.5 PCB布局優(yōu)化治本方案所有補(bǔ)救措施都抵不過一塊布局合理的板子。前面已經(jīng)在柵極驅(qū)動(dòng)回路的部分提過布局的重要性這里再補(bǔ)充功率回路的考量。功率回路的簡化原則是母線電容 → MOSFET → 電感/變壓器 → 回到母線電容這個(gè)環(huán)路面積越小越好。功率環(huán)路的寄生電感不僅會(huì)造成Vds振鈴還會(huì)在關(guān)斷瞬間產(chǎn)生很高的尖峰電壓直接威脅MOSFET的雪崩耐量。實(shí)測對比過同一設(shè)計(jì)的兩種Layout一種功率回路面積約400平方毫米另一種優(yōu)化到約150平方毫米。在其他條件相同的情況下Vds振鈴幅度從穩(wěn)態(tài)值的25%降到了10%左右效果比單純加RC吸收更明顯。5. 一次完整排查從波形異常到方案定型的鏈路最后分享一個(gè)完整的實(shí)際案例把上面所有的知識(shí)點(diǎn)串起來。這個(gè)案例來自一個(gè)額定1.5kW的電機(jī)驅(qū)動(dòng)板現(xiàn)象是MOS管在連續(xù)運(yùn)行一段時(shí)間后偶爾燒毀且EMI傳導(dǎo)騷擾超標(biāo)。5.1 第一步確認(rèn)測量方法沒坑剛開始測到的Vgs波形振鈴幅度4.2V頻率35MHz我第一反應(yīng)就是檢查測量方法。把鱷魚夾地線換成短彈簧重新測量振鈴幅度降到2.6V。這個(gè)動(dòng)作很重要不做這一步后面所有數(shù)據(jù)分析都會(huì)建立在錯(cuò)誤的基礎(chǔ)上。同時(shí)確認(rèn)了示波器帶寬足夠——用的1GHz帶寬、采樣率5GS/s的示波器這才勉強(qiáng)能清晰看到35MHz的振鈴波形。如果你用100MHz帶寬的示波器去測高頻振蕩會(huì)衰減一大半導(dǎo)致你嚴(yán)重低估振鈴的幅度。5.2 第二步分類定位振鈴來源用前面說的方法分別測量Vgs和Vds波形并觀察兩者的發(fā)生時(shí)刻是否同步。Vgs振鈴集中在開通末端和關(guān)斷起始Vds振鈴在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中與Vgs同步出現(xiàn)。經(jīng)過對照判斷Vgs振鈴的根源在柵極驅(qū)動(dòng)回路Vds振鈴則來自功率回路的寄生電感。用一個(gè)對比測試驗(yàn)證判斷在柵極回路串聯(lián)了10Ω電阻Vgs振鈴明顯減弱但Vds振鈴幾乎不變?nèi)缓笤赩ds并聯(lián)RC吸收Vds振鈴才有明顯改善。這說明兩個(gè)諧振回路基本獨(dú)立需要分別治理。兩組排查數(shù)據(jù)和關(guān)鍵動(dòng)作如下排查步驟關(guān)鍵動(dòng)作觀察結(jié)果測量校準(zhǔn)換短彈簧地線振鈴從4.2V降到2.6V柵極回路診斷串10Ω電阻試驗(yàn)Vgs振鈴明顯減弱Vds變化不大功率回路診斷并RC吸收試驗(yàn)Vds振鈴明顯減弱Vgs變化不大組合驗(yàn)證同時(shí)加電阻和RC吸收兩個(gè)波形均達(dá)到可接受范圍5.3 第三步確定最終方案柵極端最終選擇Rg10Ω振鈴幅度2.6V降到0.9V關(guān)斷負(fù)向尖峰也控制在-1V以內(nèi)開關(guān)損耗增加不足2%。功率回路最終在Vds并了10Ω加470pF的RC吸收Vds過沖從穩(wěn)態(tài)電壓的28%降到11%。EMI測試在100MHz~200MHz頻段的余量從原來的負(fù)值變成正值。這個(gè)方案的最終確定實(shí)際上是在損耗、振鈴和EMI三個(gè)約束之間做了一個(gè)工程平衡。Rg繼續(xù)加到22Ω或者RC吸收的電容再加大振鈴還能進(jìn)一步壓低但損耗增加和成本都過高了沒有必要追求極限指標(biāo)。5.4 復(fù)盤這幾條經(jīng)驗(yàn)值得記下來測量手段不規(guī)范后面全都是白忙。先換短接地再談?wù)疋彿治?。振鈴要分回路治理柵極振鈴和漏源振鈴別混為一談。參數(shù)估算只能定方向和量級最終一定要用掃描法找到平衡點(diǎn)。布局優(yōu)化是最高優(yōu)先級至少保證驅(qū)動(dòng)回路和功率回路的環(huán)路面積做到緊湊。針對橋式電路Miller平臺(tái)期的振鈴需要單獨(dú)用鉗位手段兜底。我的個(gè)人體會(huì)是處理振鈴問題的核心不是“消滅它”而是“把它控制到影響可接受的范圍內(nèi)”。你得知道振鈴的頻率、來源和能量耗散的路徑而不是一看到振蕩就無腦加電阻。把測量方法做對、把回路拆開看、把參數(shù)掃清楚這個(gè)問題其實(shí)沒有想象的那么玄乎。希望這篇記錄能給正在和振鈴斗爭的同行一些實(shí)際幫助。